美光科技(MU.US)電話會議實錄:DRAM處於1z技術爬坡的過程中

本文轉自微信公號“湘評科技”,編輯:國盛電子團隊

核心摘要:

1、美光DRAM業務約占整體營收的64%,NAND Flash營收占比約30%

2、DRAM方面,處於1z技術爬坡的過程中,聚焦於改善成本、提升產品性能。

3、DRAM演進速度放緩,無論是從“單位晶圓位元增長”的角度,還是從“單位位元成本降低”的角度。

4、NAND方面,柵極技術(Replacement Gate)的進步增強瞭進行節點遷移的信心。美光將向128層3D NAND方向發展,是64+64層的結構。

5、NAND演進方面,64層之後,考慮到CapEx強度和工藝復雜度,單位晶圓位元增長將放緩,並在未來幾年內限制成本降低的速度。

6、華為占美光收入的13%,具體影響將在6月份的業績說明會上進行說明。

會議情況:

美光科技(MU.US)公司是美國一傢總部位於愛達荷州波夕的公司,於1978年創立。其主要產品包括DRAM、NAND Flash。在最新的2019年Q2財季中,美光DRAM業務約占整體營收的64%,而NAND Flash營收占比約30%。

美光在5月23日的投資者會議上,展示瞭其NAND Flash和DRAM技術,以及美光未來技術的發展規劃。

1. 團隊

美光科技團隊優秀並不斷發展壯大。團隊強大:全球人才推動創新,已成功納入美國專利清單前50名和福佈斯2019年“多樣性最佳雇主”。廣納賢才:> 50%的研發新員工擁有碩士,博士學位;> 60%有技術與行業經驗;2018年認證為優秀的工作場所。途徑:通過推進STEM教育,提高好奇心,促進STEM教育和與全球頂尖大學合作等方式打造更加優秀的團隊。

在全球范圍內都擁有技術佈局,提供世界領先的創新和執行,通過顛覆性創新加速核心技術。

生產地具有強大開發能力:核心技術研發是在美國的愛達荷州基地,Fab工廠產能分佈在全球各地,其中日本主要用於生產DRAM,新加坡主要生產NAND Flash,創新的3D Xpoint是在美國猶他州,封裝是在臺灣省完成,美國Virginia滿足汽車市場需求。

日本——DRAM

新加坡——NAND

美國猶他州——3D XPoint TM

臺灣省——封裝

弗吉尼亞州——汽車

2. 技術:DRAM與NAND

核心技術:業界最全面的技術組合——不斷滿足客戶需求

DRAM/3D NAND/NOR/3D XPoint TM/3D Packaging/Emerging Technologies

Part1 DRAM

美光在1Znm產量爬坡上進展迅速,1Znm DRAM競爭地位不斷提升。美光將持續推進1Znm DRAM技術和16Gb LPDDR4。在1Znm技術之後,向下發展還有1α、1β、1γ,在從1Znm到1γ技術的過程中,美光將持續評估EUV工藝DRAM的成本效益,在合適的時候用上EUV。

DRAM演進的趨勢:DRAM擴展在行業趨勢中面臨著明顯的挑戰:Gb/Wafer增加更難;節點的轉換成本挑戰最終收益;資本支出強度持續增長。

DRAM制程演進:推動技術領先

繼續降低成本提升績效:

優化光刻方法:EUV模式對高級DRAM應用的挑戰

美光采用多種模式技術優化未來DRAM節點,multiple patterning技術是很強的策略優勢;驗證1Znm至1γnm的成熟技術能力和成本效率;正在評估EUV用於DRAM生產。

Part 2:NAND

128層NAND,柵極技術(Replacement Gate)的進步增強瞭節點遷移的信心。美光將向128層3D NAND方向發展,是64+64層的結構。為瞭使NAND Flash在性能、容量、尺寸等方面持續發揮其優勢,美光在128層3D NAND技術將從Floating Gate浮柵向柵極技術過渡,在陣列技術下繼續使用CMOS架構。在芯片尺寸,順序,寫入性能和寫入能量/位方面實現領先地位。

NAND演進趨勢:通過技術轉型提升領導地位

NAND Flash技術從2D向3D發展,驅動驅動單位晶圓容量(Gb/wafer)增加。

64層之後,NAND Flash容量增加和成本降低的速度放緩。

DRAM和NAND成熟產量的時間縮短瞭一半以上

3. 會議紀要

Date: 2019-05-23

公司參與者

?Farhan Ahmad,'投資者關系'

?Scott J DeBoer,'技術開發執行副總裁'

?David A Zinsner,'高級副總裁兼首席財務官'

Scott J DeBoer,'技術開發執行副總裁'

下午好。 我是美光科技技術開發執行副總裁Scott DeBoer。

歡迎參加這個網絡直播,我們都關註我們如何加速美光的存儲和存儲創新。 今天,我將演示相關的關鍵技術更新。 在去年的美光分析師大會主要聚焦於 Micron對我們的團隊,我們的核心技術創新,以及對我們的強烈關註提高我們的執行力,這將繼續使我們整體競爭技術地位的加強。

我將從瞭解團隊的最新情況以及我們專註於為公司提供核心技術開始。 我們為我們的技術團隊感到自豪,致力於開發技術,並且這些技術將在未來推動我們公司發展的產品。 我們相信,我們的全球人才具有重要的競爭力優勢,這將推動我們的創新。 在美國專利方面被公認為前50強公司並獲得認可作為多元化的最佳雇主,這是我們感到非常自豪的。

我們將吸引世界上最優秀的人才加入美光。一個人的教育資歷和行業經驗,我們將其形成指標,專註於提高標準。 我們擁有很好的工作場所,有助於我們吸引新人才到美光。 另外,無論是在K-12還是在大學,我們支持與人工智能相關的STEM教育,並與全球頂尖大學密切合作。

在多元化方面,我也很高興地註意到參加2018財年研發實習計劃的學生中約有50%仍然存在。 我們將繼續加強我們的核心研發能力和BOISE關鍵人才和基礎設施增加。 我們的BOISE團隊專註於我們核心的早期技術調查內存產品以及更具顛覆性的技術。 此外,我們還直接加強瞭我們的研發工作通過增加人才和基礎設施來支持生產基地,以支持更快地執行未來技術交貨。

我們的全球R&D模型經過優化,可以有效地執行顛覆性技術,同時確保我們在生產設施內直接擁有足夠的能力,提供世界領先的技術資格和產量。這種雙管齊下的技術開發方法不僅使我們能夠在最有效和最靈活的環境中執行不同階段的開發計劃,而且還允許Micron獨特地利用我們多元化的全球人才基礎。 這個全球技術團隊驅動我們的資源專註於提供差異化技術,支持我們在各種不同的業務客戶的需求和需求。 內存和存儲解決方案的功耗,性能,密度,延遲和成本。

正如我之前提到的,今天我們產品差異化的機會比以往任何時候都要大。無論是DRAM,NAND,3D XPoint還是其他新興內存技術,我們的團隊都專註於此為我們的客戶提供獨特的功能。 豐富的產品和解決方案組合滿足瞭我們的關鍵需求顧客。 無論是功率,外形,性能,可靠性還是其他屬性,我們都能應對挑戰我們與本幻燈片所示的市場范圍內的客戶合作,設計內存和存儲解決方案繼續提供。

現在,我將繼續詳細介紹與客戶合作推出的特定功能技術。我們繼續擁有業界最全面的技術組合,由全球人才和企業提供支持我在之前的幻燈片中描述過的基礎設施。 今天,我將提供更新自從去年的分析師會議上的NAND和DRAM技術進展。

我們將大大提高2018年的競爭地位,距最先進競爭者大概約10%至15%的距離。我將在接下來的兩張幻燈片中展示我們的進步,我們的團隊始終致力於通過最佳競爭對手縮小任何技術能力GAAP。今年,我們將在我們的1z納米技術上推出業界首款LPDDR4 16-gig monodi解決方案。 目前,這一領先的移動存儲產品正在進行客戶資格認證。

我們目前處於1z技術爬坡的過程中,我對正在取得的進展感到高興。 我將在幾分鐘內詳細討論我們的執行情況。 我們對1z技術節點聚焦,包括改善成本、提升產品性能。 一些例子如本幻燈片所示,包括運行常見應用程序的移動設備中DRAM性能的重要功率指標,如播放音樂和觀看YouTube視頻。

如圖所示,與我們的1z節點競爭相比,我們提供瞭出色的功率性能,類似於我們在1X和1Y節點上完成的功能。我們將繼續提升我們的競爭地位1z節點斜坡,但我們認識到我們還有很長的路要走,我們將繼續關註成本和性能領導。 總體而言,在查看此幻燈片的行業趨勢時,隨著技術挑戰導致連續節點的水平降低和改進,DRAM演進速度明顯放緩,無論是從“單位晶圓位元增長”的角度,還是從“單位位元成本降低”的角度。

隨著與擴展相關的資本支出強度持續增長。沒有過渡的成本正在挑戰最終目標擴展的好處。 雖然每個節點的位增長率較低且每個節點的成本降低較少的趨勢非常明顯,當然,我們也不會看到歷史上發生的節點到節點改進的類型。 我們的隊伍仍然專註於提供可提供可行回報的未來節點的艱巨任務。

我們相信,我們將全球人才和廣泛的DRAM經驗相結合,使美光公司獨一無二。盡管我們面前存在障礙,但能夠識別創新方式以提供可行的未來技術節點。 如我們來看看DRAM技術路線圖。 我們目前專註於四個節點和不同的開發階段。 超越我們的一個更好的節點,我們的重點是在物理和成本困難的情況下確定可行的解決方案挑戰節點呈現。

我將在接下來的幾張幻燈片中討論我將對此進行更多討論,但光刻技術不是基本的DRAM擴展局限性。 Micron的模式乘法技術是一個戰略優勢,它是我們打算繼續的利用接下來的幾個DRAM節點。 顯示瞭技術與EUV的多模式的相對成本結構幻燈片中的圖表是未來DRAM節點的功能。 該技術最初是由Micron和我們推出的繼續推進多圖形光刻加工的成本結構和技術能力。

根據我們已經完成的開發工作,我們對技術能力和成本充滿信心。通過我們的1-gamma節點,我們的多模式方法對1z節點的效率。 也就是說,我們正在進行中評估DRAM的EUV光刻技術,以確保我們在技術能力方面做好準備改進到與我們的路線圖完全一致的程度。當EUV性能對Micron有利時,我們將為EUV的實施做好準備。 如上所述,我們一直在關註EUV DRAM的選項在此圖表中,您可以看到對高級DRAM節點的評估。

那麼,就1z和1-alpha節點上某些級別的過程能力而言,EUV肯定是可行的。 我們的專有的多圖案技術在成本方面仍然明顯優於EUV曝光選項這些節點的結構。 對於更高級的節點,EUV可以在非常低的暴露劑量下達到總體成本平價,但在這些條件下,圖案質量是不可接受的。 或者,如果處理非常高的曝光劑量使用時,可以改善圖案質量以便可能使用,但是在這種情況下,成本顯著更高比多圖案替代品。

考慮到這些因素,我們不打算在不久的將來實施EUV,但隨著技術的進步,我們將繼續關註最佳攔截點。 與DRAM類似,我在去年的分析師會議上討論瞭我們有競爭力的NAND進展。從2013年以來我們取得瞭巨大進步,我們的領先技術大約是每個晶圓的千兆字節數的60%,而我們最先進的競爭對手是2018年基於陣列技術的96層CMOS的競爭優勢。 我們在過去一年中的持續進展將在接下來的幾張幻燈片中展示。

過去一年,我們在replacement gate技術方面取得瞭可靠的進展,為我們的過渡提供瞭信心戰略。 雖然我們目前專註於此幻燈片上顯示的128層技術。 我們的整體戰略涉及到首先建立一個較低層的柵極技術試驗線,為128層量產爬坡做準備。 我們的成功實現瞭柵極技術(replacement gate)NAND,利用該試驗線獲得產量大大提高瞭我們的信心和經驗,因為它與在競爭時間線上的128層節點上執行有關。

提醒一下,我們的RG技術是陣列概念下業界領先的CMOS的獨特組合,結合我們的第三代陣列堆疊技術和帶電的RAP [ph]電池技術。 這個技術特征的組合使領導和模具尺寸順序正確的性能和正確的能量比特,這些都是我們服務的市場的關鍵屬性。 與DRAM類似,CapEx強度和工藝復雜度也是如此結合起來,減緩單位晶圓位元增長,並在未來幾年內限制成本降低的速度。 平面到3D之後,制程進步帶來的增益正在減少。

64層之後,單位晶圓位元增長將放緩,因為該行業將專註於更傳統的從一個3D節點轉換到下一個節點,而不是我們過去看到的平面到3D轉換。 如圖所示,在這張幻燈片中,由於資本支出的直接結果,過去幾年每個節點的成本降低趨於穩定強度和過程復雜性。 除瞭我們最初的替代品之外,NAND的路線圖和開發正在進行中128層節點的官方替換門轉換。

我們相信,隨著我們從浮動中融合,我們將非常有能力推動成本和績效領先柵極到替換柵極轉換,並專註於提供TLC和QLC替換柵極的下一個節點NAND。新的Micron將把我們的性能提升到更高的水平,當然,還在不斷挑戰我們自己改善運營執行是這方面的一個關鍵方面。 我今天要以一個例子結束我們努力改善美光的執行力度。 在此之後,將技術推向成熟產量所需的時間最初開發的是一個關鍵的執行指標。 對於DRAM和NAND來說,這個時間減少到基準水平和超越一直是我們開發和制造團隊的重點。

如本幻燈片所示,我們在過去幾年中取得瞭重大進展,並且我們的產量增加瞭,DRAM和NAND的成熟產量減少一半以上這個執行的重要性考慮到我們面臨的復雜性,難度和擴展性的增加,改進得到瞭放大其他行業。 這是美光團隊非常自豪的結果。 我們專註於創新,技術加速和過去幾年的執行導致我們整體競爭技術的重大進步位置。 正如我在一年前所說並且仍然相信今天,Microns在核心技術方面處於更有利的地位能力比過去25年的任何時候都要多。有瞭這些,我想感謝大傢參與今天的網絡直播並打開問題。

Q: 也許在持久性存儲器中是許多AI應用程序的對話主題數據中心是3D交叉點您的解決方案或者您是否有其他產品和開發可能會下降進入持久成員的類別。

A:是。 我們當然有3D交叉點作為我們在該應用階段的解決方案之一。我們正在開發其他產品,具有不同的新興存儲。 另外還有一些應用程序可以通過標準年終需求的組合來滿足。 那些人從需求中堅持不懈。

Q:好的,隻是在 – 可能在開發的成本方面,你可以利用3D交叉點NAND和DRAM有足夠的相似性,你可以[ph]使用你的一些開發對於3D交叉點有NAND。

A:有一些相似之處,但很可能,你知道,我們實際上已經在很長一段時間內處理3D交叉點瞭因此雖然有一些工具集相似性,但技術實際上卻完全不同。 所以NAND或者專業知識

我們在NAND上所做的工作並沒有增加3D交叉點的能力,但它仍然很長許多年前開始的開發過程MicronTech [ph]。

Q: 第一個,斯科特你提到瞭EUV上的一些數據點我隻是好奇的是基於那個EUV 3400B所以我們什麼時候應該聽取你對deceit [ph]版本研發的結果,因為ASIMO [ph] 我已經談到瞭重大進步,我們是否會等到明年進行同樣的更新,或者我們應該能夠回來給我們更新一下? 我有一個後續行動。

A: 為瞭清楚起見,我們對EUV的評估和我們的評估實際上是基於完整的路線圖EUV不僅僅是3300B如果你看一下這種模式技術,可能為什麼你[ph]問瞭這個問題3300B從分辨率點來看與下一對工具非常相似,但是當我們看到時,我們會看到的路線圖,根據最新工具功能的吞吐量來評估攔截點的位置。我認為你也有一個後續問題,對吧。

Q:當您更改NAND底層技術時,是否存在對第三方的任何知識產權許可

我們應該考慮什麼?

A:不會。我們在NAND技術方面擁有強大的知識產權地位,歷史上擁有超過40,000項專利。 我們與NAND技術相關的IP非常強。

Q:是您提到瞭從2D到3D的過渡產生瞭大量的問題比特增長但現在轉換已經結束,我們現在正在進行3D內部的正常迭代節點到節點的轉換會慢一點。 我想知道你是否可以談一談這個問題進一步的細節,每個節點會減慢多少以及相關的成本降低,如何平衡每個節點? 謝謝。

A:我可以談談近期的情況,也許隻是我們看到行業的一般情況,但總體而言是成本。我所展示的減少量在過去幾年中基本保持平穩。

我認為NAND就像DRAM一樣,對於擁有這種產品的行業來說將是一個非常重要的挑戰成本降低甚至水平,所以可能繼續下降一些。 如果你隻看3D技術,當你從 – 通過這些前幾個節點,你從我們的32層到64層,我們基本上加倍瞭。 這是一項重大改進。 當我們進入數百層時,我們正在研究什麼百分比增長是我們作為一個行業的下一個節點,增加的百分比將會減少。

如果你隻看我們從96層到今天我們談到的下一個節點,128。隻是在同一區域或更低的位的質量增加,當我們來自平面時,增加是非常可觀的。 當我們從15或16納米的平面達到64層時。單位晶圓位元容量增加很大但很明顯,在這個過渡期間,歷史性的增長很大。

Q:而對於128,你看到第一個應用是什麼樣的?

A:當然。 我們的終端市場一般不會發生重大變化,我們有移動產品,我們有SSD產品,我們將與客戶合作,找到最適合的產品,但我不會在那裡看到一個很大的變化。

Q:我想建立在最後一種評論的基礎上。 我認為上一季度甚至是評論之前的四分之一左右,從成本下降的角度來看,這將是一個挑戰。 所以我很好奇,首先,我該怎麼想? 而且我認為你甚至提到瞭相當有限的事實,在您的產品組合中實施該流程節點,以及我們如何考慮使用替換門從那裡到1YY流程節點的進展,您如何 – 您希望縮短該周期? 我的意思是試著瞭解多長時間 – 首次實施柵極技術可能會有點成本劣勢?

A:當然, 這是一個很好的問題,有幾個部分,正如你所提到的,我們之前說的是128層節點不會提供同樣的成本優勢,部分原因是因為我們來自FG的96層節點。從成本角度來看,這真的很特別。 所以,當我們去我們的128層節點並談論好處時在這段時間內沒有實質性的,我們真的不是說我們的128層節點會是這樣比我們的競爭對手差很多。

這真的是我們來自一個非常強大的地方,我們有一個大資本改變和參與從FG,RG切換所以我們認為我們的部分將在128級競爭,它不會是那種降低成本我們以前見過節點到點。 所以,想想我們在之前節點上得到的一半。 當我們超越那麼,我們將專註於嘗試相對於我們的業務而言,具有行業競爭力的成本降低,預測那些超出其范圍的技術將擁有在前一個節點上成熟產量的技術。在工具集中具有更好的通用性,讓我們推動一個良好的成本降低路徑。

Q:然後這是一個快速的跟進。 我很好奇你談到的一些關於技術本身的事情到芯片級別,但我從產品角度或者他們的東西的路線圖角度來看,我很好奇NAND Flash一邊是NVMe企業,SSD甚至是3D Xpoint的商業化任何變化這些解決方案的路線圖。 謝謝。

A:正如我們今天和之前提到的那樣,我們當然認為128層節點不是完整的產品組合節點,因此在更改方面,128層節點將發生重大變化。當我們看得更遠並且我們整個投資組合完成時,將在下一個節點上處於穩定的位置投資組合。 在那一點上肯定會有3D Xpoint產品在市場上出售,我們將有其他機會在NVMe和其他方面,我們今天沒有宣佈任何這些,但我認為我們所有這些東西都將由我們的第二代柵極技術進行。

Q:我想第一個問題,我認為在3D Xpoint方面,我們一直專註於數據中心服務器的機會其他地方不那麼專註。 我很想聽聽那些機會是在服務器市場之外? 那些地區的坡道時間表是什麼樣的?

A:是。 我們今天沒有宣佈任何新產品,我們過去曾談到我們確實看到瞭3D Xpoint的機會,包括移動、數據中心、各種不同的應用中,我們認為這些應用程序將繼續擴展,但沒有新的談論當天,但我們絕對專註於產品創造和創造價值憑借美光和英特爾創造的這一獨特技術,並在未來幾年內處於有利地位這就是我們業務中更重要的一部分。

Q: 我很好奇,如果你能對華為發表評論的話。就你的曝光而言,他們的影響是收入,無論你的庫存我主要依據手機AMCP那邊,這是否真的可以,我想你可以提供的禁運周圍的任何其他顏色? 謝謝。

A:是的,當然。 因此,很明顯,周四晚上我們被禁止出口華為的機構[ph]產品,有人期望獲得特別許可證 – 這將在周一公佈。

但是,許可證確實特定於支持已安裝的產品或已售出的手機。 所以當我們是另一個時,這對我們的影響微乎其微,所以截至周四晚上,我們不會向華為發貨。今天[ph],如果你看過第一季度和第二季度的10-Q,華為占我們收入的13%。 顯然,這將有一個財務影響,我們將在業績說明會上向您更新。

因此,我們不打算立即更新與此相關的任何內容。 在這一點上,我們顯然希望快速解決方案,但與此同時,我們積極關註其餘的客戶群,當然需要得到支持和服務,以及我們正在談論的所有倡議,如Scott談論我們的技術和成本,改善我們的組合。 一直以來,我都會說真正專註於管理,公司在經濟上有紀律。 再說一次,我們希望快速解決這個問題,但我們不知道遠遠超過 – 我認為比其他人做的更多,所以我們隻需要等待,看看它是怎麼回事。

Q:我是代表Tim Arcuri問的。 斯科特,所以我明白你有點說在短期內沒有EUV,但是你

你也一直在探索它。 就最終決定在未來節點上進入EUV做出決定。 多少您是否會想到,您是否必須在未來的節點上使用EUV?

A:我們正在尋找去年談到我們如何設置開發流程的好處之一現在更進一步,並在節點上做更多的早期開發準備,這是其中的一部分在過去的幾年裡,有什麼能幫助我們提高我們的競爭地位。

因此,我認為我們有足夠的時間來提前確定一個給定節點至少提前兩三年。由於各種原因,他們會想要批量生產。 我認為,未來幾年我們非常有信心。我們也相信,我們密切參與並致力於EUV技術,並確保這一點,當我們需要它時,我們有那條跑道。 在接下來的幾年裡,多模式技術就是這樣的在我們的業務戰略中明確表示我們處於良好狀態並且我們將繼續關註它。

Q:我想128層,您還在考慮堆疊還是在考慮非堆棧版本?

A:好。那是 – 我們不會談論技術細節。我們已成功運行堆棧NAND技術已經多代瞭。今天,我告訴過你我們將在128層完成。這是 – 它顯然是將技術延伸到未來的方向。確切地說,我們如何建立1yy以及更遠當我們接近它時,更多地談論它。

Q:當您轉到NAND上的128層節點,然後轉到1yy和2xx。您的晶圓周期時間通過晶圓廠會發生什麼變化,是上升,下降還是保持不變?

A:整個周期時間取決於NAND真正[ph]想要上升,因為從根本上來說增加層數是更多的薄膜,更多的晶圓復雜性。但與此同時,我們正在與我們所有人合作關鍵供應商,以確保我們有合適的解決方案,以盡量減少增加或減少的時間某些步驟中的循環時間量。因此,我們的重點顯然是盡可能減少周期時間的增加量節點到節點我們通過與供應商合作以及通過創新方法實現這一目標準確地改變,我們如何構建NAND以確保盡可能高效。所以它會上升一些但是我們絕對專註於盡可能地減輕這種情況。

Q:在DRAM上,你已經描述瞭幾代後代,聽起來就像所有人一樣 – 與線縮放有關。 您是否正在尋找具有比直線更具異國情調的任何替代未來節點,並且同時進行縮放 – 就像NAND從縮放到3D的方式那樣有沒有其他DRAM選擇?

A:就這一點而言,DRAM非常復雜 – 在NAND上沒有一個明顯的解決方案,你隻需在它上面翻轉它一邊建造它。因此,我們正在研究在未來更有效地構建DRAM的許多方法。就像我們之前談到的那樣,研究不同類型的內存技術。所以我們有方面肯定在看,我們覺得我們有一些有趣的事情,我們在投資者處談過一些有趣的事情前一天,相對於新興的內存和可以適應的應用程序類型,但我們沒有談論任何今天特定的新DRAM架構。

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