臺積電(TSM.US)7nm+大量供貨:近40年終於實現EUV光刻

臺積電今天宣佈,N7+7nm+工藝已經大批量供應給客戶,這是該公司乃至全產業首個商用EUV極紫外光刻技術的工藝。EUV光刻采用波長為10-14nm的極紫外光作為光源,可使曝光波長直接降到13.5nm,研發,推動更先進工藝。  

EUV光刻技術早在20世紀80年代就已經研發出來,最初計劃用於70nm工藝,但光刻機指標一直達不到需求,加之成本居高不下,芯片廠商不得不引入沉浸式光刻、雙重乃至多重曝光來開發新工藝。  

按照臺積電的說法,他們的EUV光刻機已經可以在日常生產中穩定輸出超過250W的功率,完全可以滿足現在以及未來新工藝的需求。  

三星7nm工藝也在引入EUV,不過進展相比臺積電要落後很多。  

臺積電表示,7nm+的量產速度也是公司史上最快的之一,今年第二季度就已量產,並且在良品率上迅速達到瞭已經量產1年多的7nm工藝的水平。  

7nm+相比於7nm在性能上可帶來15-20%的晶體管密度提升,同時改進瞭功耗。  

臺積電7nm+工藝已經應用於多傢客戶的產品,但官方沒有給出具體名單,目前唯一可完全確認的就是華為麒麟9905G,AMD下一代Zen3架構也一直標註為7nm+工藝。  

接下來,臺積電將繼續奔向6nm、5nm、3nm、2nm,其中6nm(N6)相當於7nm的升級版,設計規則完全兼容,繼續采用EUV技術,晶體管密度可比7nm提升18%,預計明年第一季度試產,明年底量產。

0

评论0

请先

没有账号? 注册  忘记密码?